0 IC制造 SK海力士成功研发96层4D NAND闪存 年内量产 SK海力士成功开发出了层数最多的96层4D(四维)NAND闪存半导体。11月4日,SK海力士公司宣布,“公司将主要应用于3D闪存的CTF结 ... 2018-11-05
IC设计/EDA 英特尔公布下一世代3D XPoint研发计划 将转移阵地 英特尔周一宣布,下一世代3D XPoint存储器芯片的研发计划,将转移阵地至新墨西哥州厂。据新墨西哥州长Susana Martinez表示, ... 2018-09-11
IC设计/EDA 群联64层3D QLC NAND Flash控制芯片 正式出货 快闪存储器(NAND Flash)控制芯片及储存解决方案领导群联昨(6)日正式宣布,搭载美系国际原厂最新QLC规格64层3D NAND Flas ... 2018-09-07
IC设计/EDA 英特尔美光共同开发2代 3D Xpoint产品,2019年上半年问世 根据外电报导,处理器大厂英特尔 (Intel) 于 17 日发出官方声明表示,2019 年将会和存储器大厂美光 (Micron) 发表第 2 ... 2018-07-17
IC设计/EDA 三星宣布量产首批 8GB LPDDR5 存储器,速度提升50% 存储器大厂三星 17 日宣布,量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒,速率可达 6,400Mbps,比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%,同 ... 2018-07-17
IC设计/EDA 富士通推出能于摄氏零下55度操作存储器FRAM 并已量产供货 日本科技大厂富士通(Fujitsu)于13日宣布,研发出型号为MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款存储器能在摄氏零下55度中运行,为 ... 2018-06-13