三星的2nm工艺节点将比3nm增加30%的极紫外（EUV）层数。消息人士称，三星的3nm节点有20个EUV层，但2nm的EUV层数已增加到26层。
他们补充说，三星的1.4nm工艺预计将于2017年开始生产，预计将有超过30个EUV层数。
三星于2018年首次在其7nm逻辑工艺节点上应用EUV。从那时起，随着每次迁移到5nm和3nm，三星都会增加芯片生产过程中的EUV层数或EUV工艺步骤数。
晶圆代工厂正在竞相从ASML购买更多EUV光刻机，以用于其先进节点。据报道，台积电计划在2025年之前订购65台EUV光刻机。
与此同时，三星也将EUV应用于DRAM生产。三星已为第六代10nm DRAM应用多达7个EUV层，而SK海力士则应用5个EUV层。
随着越来越多的芯片制造商扩展其EUV工艺步骤，光刻胶、空白掩模和薄膜等相关行业也有望增长。
