业界有种说法，“得芯片者得天下”，而光刻机对芯片制造工艺的进步至关重要。光刻机被誉为半导体工业皇冠上的明珠，其研发成本和制造难度巨大，高端的EUV光刻机更是光刻机中技术含量最高的设备。目前，全世界只有ASML（阿斯麦）一家厂商可生产EUV光刻机，EUV光刻机全球出货量已达57台。这种一家独大的情况是否正常？其他厂商距离打破ASML高端光刻机的市场垄断还有多远的路要走？
ASML在高端光刻机市场“一家独大”
目前市场上主流的半导体光刻机供应商有荷兰的ASML、日本的Nikon（尼康）和Canon（佳能），市场呈现“三分天下”的格局。赛迪智库集成电路研究所相关人士告诉《中国电子报》记者，ASML在半导体高端光刻机市场一家独大，且完全垄断EUV光刻机的生产。相对而言，Nikon和Canon在半导体领域主要服务于中低端市场，先进制程远落后于ASML，优势仅在成本。
从全球范围来看，相关数据显示，2019年ASML、Nikon和Canon半导体用光刻机共出货359台。在半导体中低端市场，ASML占据34%的i-line光刻机市场份额，Nikon的市占率为18%，Canon则以49%的份额在i-line光刻机市场占据领先。ASML在KrF光刻机出货量上以65%的比例占据绝对优势，Canon以34%的比例追随其后，Nikon只占4%的KrF光刻机出货量。
在半导体中高端市场，Canon已经“不见踪影”，ASML则以绝对优势“独占鳌头”，共出货104台ArF和ArFi光刻机，市占率分别为63%和88%，远高于Nikon的37%和12%。
在EUV光刻机的生产上，一直以来只有ASML一家公司能提供可供量产的EUV光刻机，因此ASML完全垄断了EUV高端光刻机市场。ASML的“独步天下”已众所周知，但鲜为人知的是，在“戴上”EUV光刻机这顶“皇冠”之前，ASML也经历了很多关键事件。
记者从业内人士处了解到，1991年ASML推出了PAS 5500，在光刻机领域一举成名。2001年，ASML推出了TWINSCAN系统及双工作台技术，之后又发布了TWINSCANXT系列浸入式光刻机。2010年，ASML成功推出第一台EUV光刻机样机，成为了EUV光刻机的唯一厂商。
该业内人士表示，推出PAS 5000、双工作台、浸入式光刻机和EUV光刻机四大里程碑事件，使得ASML在光刻机领域的地位逐渐不可撼动。
打破ASML市场垄断“道阻且长”
作为全球光刻机霸主，ASML已构建了世界上最全面且最强大的光刻机供应链体系，几乎垄断着整个光刻机市场，尤其是高端光刻机市场。ASML在光刻机市场的一家独大，是否压制了其他企业的发展空间？对此，中国电子科技集团有限公司首席专家王志越告诉记者，作为EUV光刻机的唯一先入者，ASML在光刻机市场的一家独大会使其他厂商发展空间受限。
在王志越看来，其他企业若想挑战ASML光刻机的“霸主”地位，会面临很大挑战。王志越指出，首先，突破技术壁垒将会是一大挑战。目前ASML掌握了EUV光刻机的核心技术，拥有核心技术和关键零部件的知识产权，这种知识产权保护体系的壁垒很难突破。其次，ASML建立的技术相对成熟，且合作关系紧密的供应链具有排他性，因此进入需要培育的可控供应链和产品准入市场是很困难的。
芯谋研究首席分析师顾文军在接受采访时也表示，ASML在高端光刻机市场的“一马当先”，主要源于其长期的技术积累和与台积电、三星等厂商的合作联盟关系。其他厂商若想打破其垄断，必须要有新一代技术的突破，且对市场要持续投入。
打破ASML高端光刻机的市场垄断不仅需要钻营EUV光刻机本身，还要提升其配套设备和材料的质量。半导体行业专家莫大康表示，配套材料光刻胶有时会出现问题。这是由于EUV光刻机通过利用反光镜反射光时，光子和光刻胶的化学反应会变得不可控，在某些情况下会出现差错，这是亟待解决的问题之一。此外，光刻机保护层的透光材料会存在透光率比较差的问题。光刻机精度的提高需要上面覆盖一层保护层，而低质量的材料会导致较差的透光率。
要想在EUV光刻机市场上占据一席之地，EUV光刻工艺的良率保障也必不可少。复旦大学教授周鹏此前在接受采访时表示，对于先进技术节点中采用的EUV光刻，其良率直接决定了制程技术的成本，因此只有保障EUV的良率和精度，才有可能实现制程技术的突破。相关信息显示，随着业界制程走向10纳米以下，全球只有ASML的EUV光刻系统能够满足更先进制程的要求，因此其他厂商若想打破其垄断，仍是“道阻且长”。
光刻机向更小工艺尺寸迈进
从光刻机技术发展的趋势来看，作为光刻工艺的“实施者”，光刻机成为推动摩尔定律一路前行的核心设备。伴随着光刻工艺的演进，芯片也在朝向更小工艺尺寸迈进。
光刻机内部组件种类繁多，包括透镜、光源、光束矫正器、能量控制器、能量探测器、掩模版、掩膜台等。其中，光源是光刻机最关键且技术含量最高的部件之一。光刻机的工艺能力首先取决于其光源的波长，光源波长的缩小能够提升光刻机实现更小的工艺节点，推动芯片朝更小制程前进。
第一、二代光刻机分别将汞灯产生的g-line和i-line作为光源，光源波长为436纳米和365纳米，可满足800～250纳米制程芯片的生产。第三代光刻机为KrF光刻机，将波长为248纳米的KrF准分子激光作为光源，将最小工艺节点提升至180纳米。第四代光刻机为ArF光刻机，光源为波长193纳米的ArF准分子激光。为克服技术障碍，光刻机生产商在ArF光刻机上进行了工艺创新，最高可实现22纳米制程的芯片生产。
在摩尔定律的“指挥棒”下，芯片的尺寸越来越小，ArF光刻机已无法满足更小工艺节点的需求。为提供波长更短的光源，缩小工艺节点，第五代 EUV（极紫外）光刻机应运而生。EUV光刻机将二氧化碳激光照射在锡等靶材上，激发出波长13.5纳米的光子作为光刻机光源，显著地提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。
此外，EUV光源效率也需要进一步提升。“按工艺要求，光源效率要达到每小时刻250片，目前EUV光源率还达不到这个标准。”莫大康说。ASML总裁在IMEC线上论坛的讲话中也表示，ASML计划提高所有曝光工具每小时的晶圆制造数量。与此同时，EUV光刻机将继续为ASML的客户提高产量，同时继续提高EUV吞吐量，减少每个晶圆的总能量。
目前ASML在高端光刻机市场上一家独大的状况在短期之内难以改变。但是，技术的持续演进能为后续进入者提供发展机遇，使其在新一代技术的发展中寻求突破。
