在新型冠状病毒疫情的影响下，已有部分晶圆代工厂调降对2020年市场成长性的预估，不过为把握5G、AI、车用与物联网带来的新兴需求，晶圆代工厂仍持续进行必要性的制程转移与产品规划。
28nm需求复苏时间或延后，新兴产品支撑力道目前无损
28nm节点由于过去产能规划量大与产品转进先进制程，目前市场呈现供过于求情形，加上中国晶圆代工厂为提升芯片自给率仍持续扩建自有28nm产能，使得目前28nm节点的平均稼动率仅约70～75%，相较其他制程节点低。
除了陆系厂商既有的扩产计划外，包括台积电、联电等一线厂商对于28nm制程稼动率的复甦时程仍保守看待。
然而，自2019年底开始，受惠于OLED驱动IC、高像素CMOS Sensor的ISP(Image Signal Processor)、部分网通RF IC与物联网芯片逐步转进28nm，可望为该节点稼动率提供稳定且长期的支撑力道。
在制程优化方面，台积电与联电推出的22nm制程，以超低功耗与超低漏电率的特点适合广泛使用在穿戴式装置与物联网相关应用，目前陆续有产品完成制程开发并进入验证阶段，部份客户也在2020年进行投片规划，未来有望为提升28nm稼动率增添动能。
虽然新型冠状病毒的影响为终端制造与市场需求增添不确定性，或将使得原本预期提升28nm稼动率的时间点延后，不过基本上新兴产品对22/28nm制程的采用度相对较重要，即便未来市场需求走势减缓，也不致影响上述产品对28nm节点的支撑力道，仍有机会在2020年实现提升28nm稼动率目标。
化合物半导体GaN在8寸晶圆的发展备受瞩目
分析8寸晶圆成熟制程产品，除产能吃紧需持续关注外，化合物半导体氮化稼(GaN)元件在8寸晶圆上的发展也备受瞩目。
化合物半导体在5G、电动车与高速充电等应用兴起后重要性大幅提升，吸引众多厂商投入开发，不过受限材料具有不同的热膨胀系数(CTE)，目前量产品多以6寸晶圆制作。
然而，为因应日后GaN在多方应用领域的元件需求，并提升GaN-on-Silicon取代Silicon功率元件的成本竞争力，发展8寸晶圆的GaN产品仍有其必要性。
此外，发展8寸GaN晶圆技术，也有利于现行以12寸与8寸晶圆为生产主力的晶圆代工厂商，包括2020年2月20日台积电与STMicroelectronics宣布合作加速GaN功率产品开发与量产，以及世界先进在2019年第四季法说会上提到的8寸GaN晶圆计划。
因此，即便IDM掌握较多GaN的相关技术，但考量到降低量产成本和提高整合度需求，与晶圆代工厂合作不失为双赢选项，加上针对客制化元件开发，对晶圆代工厂商的依赖度将提升，助益晶圆代工厂商在成熟制程节点的产品需求。
