据《华盛顿邮报》报道，美国商务部长罗斯8月19日表示，美国商务部将允许华为购买美国产品的“临时许可”延期90天，将日期推迟到11月19日。
根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。
对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
报导指出，美光指出，与第2代10纳米级（1ynm）制程相比，美光的第3代10纳米级制程(1Znm)DRAM制造技术将使该公司能够提高其DRAM的位元密度，从而增强性能，并且降低功耗。此外，以第3代10纳米级制程所生产新一代DRAM，与同样为16GB DDR4的产品来比较，功耗较第2代10纳米级制程产品低40%。
另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技术将较1Ynm制程技术的产品节省高达10%的功率。而且，由于1Znm制程技术提供的位元密度更高，这使得美光可以降低生产成本，未来使得存储器更加便宜。
报导进一步指出，美光本次并没有透露其16GB DDR4 DRAM的传输速度为何，但根据市场预计，美光的新一代1Znm制程DRAM存储器将会符合JEDEC制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存储器的设备将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量存储器模组为主。
至于，在行动存储器方面，根据美光公布的资料显示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存储器的传输速率最高可达4266 MT/s。
此外，除了为高端智能手机提供高达16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模组外，美光还将提供基于UFS规格的多存储器模组（uMCP4），其中内含NAND Flash和DRAM。而美光针对主流手机的uMCP4系列产品将包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等规格。
虽然美光没有透露其采用1Znm技术的16GB DDR4和LPDDR4X存储器将会在哪里生产，不过市场分析师推测，美光其在日本广岛的工厂将会采用最新的制造技术开始批量生产，而在此同时，也期待2019年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开始营运1Znm制程技术的生产线。
