尽管芯片价格下跌，但三星电子今年仍会对资本支出采取谨慎态度。在预测2019年下半年市场好转的情况下，韩国制造巨头的老板更是表达了他们的信心。
最近消息表示，即使面临内存芯片价格下降的挑战，但全球最大的动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商三星打算采用谨慎灵活的方式对DRAM和NAND闪存芯片产业进行投资，正在谋求崛起的中国存储产业是他们做出这个决定的原因之一。
三星的副董事长兼事实上的继承人李在勇（Lee Jae-yong）最近的评论显示，这家业界领先公司的信心仍然强劲。“市场不利，但现在应该表现出真正的实力，”他在上周告诉韩国总统Moon Jae。
阴郁的预测
Moon早前在与Chaebol（由韩国经济占据主导地位的家族企业集团）主席的一场会议期间表达了对记忆芯片市场悲观预测之后，Lee作出了上述回应。
一位熟悉三星投资计划的消息人士对亚洲时报解释了Lee的评论。“由于需求萎缩，三星将谨慎灵活地投资存储芯片设备，”他强调“三星并不认为存储价格会以如此猛烈的速度下滑。”
早前，三星电子预测，其上季度营业利润将暴跌至10.8万亿韩元（96.6亿美元），比去年同期下降28.70美元，大幅度的下跌主要是由DRAM价格下跌造成的。
芯片制造商通常不会透露他们的资本支出计划。但安专业媒体DRAMeXchange估计，今年制造商的DRAM生产资本支出将减少10％到180亿美元。其中三星将投资80亿美元，而韩国第二大存储芯片制造商SK海力士今年将投资55亿美元。美国球员美光科技将花费30亿美元。
DRAMeXchange认为这些投资计划是近年来最为保守的。
由于人们普遍预期三星将削减内存芯片设施投资，李的言论一出来就倍受关注。不过，消息人士称，我们不必过分重视李的言论。“因为Lee一直对三星的竞争力表示信心，且他认为DRAM市场的衰退不会持续很长时间，”他表示。
降低成本
有人认为三星电子决心让竞争对手承受压力。因为在过去，三星正是通过在需求缓慢时进行大规模投资，发动价格战打败对手。
然而消息人士称：“由于受到中国政府反托拉斯法监控，三星不太可能会再度上演这种‘chicken game’’。”
但这可能无关紧要，因为三星电子有足够的实力来抵御存储市场的减速，即使NAND价格下降到其竞争对手无法承受的水平，它也可以产生利润，尤其是在比DRAM市场更加拥挤的NAND闪存领域。据报道中国“新”玩家将在今年晚些时候大举进入。
在过去，三星通过进行积极的投资，在需求缓慢时发动了价格战。
三星和海力士预计将专注于大规模生产应用在基于四级单元（QC）工艺的固态硬盘（SSD）的NAND芯片。通过对这一过程的投资，他们可以在保持技术优势的同时降低生产成本。
“对QC制程的投资似乎并不是为了摆脱追随者的追求，而是降低成本，”首尔大信证券（Daishin Securities）首席半导体分析师Subin Lee表示。“但是，一旦他们完成投资，领先公司和追随者之间的技术差距就会扩大。”
与此同时，据报道，中国存储芯片制造商长江存储今年将开始生产32层3D NAND闪存。虽然这项技术落后于三星，但鉴于中国企业的惯常削价策略，它被视为可能的威胁。
但有些人对此举持怀疑态度。Eugene Investment的分析师Lee Seung Woo说：“我们不知道长江存储什么时候开始生产。我们目前所看到的都只是媒体报道。“
芯片反弹预测
专家们表示，他们近期并未看到DRAM价格将会持续下跌的情况出现，甚至有一些人预计DRAM价格将在下半年回暖。
IT研究公司Gartner在最近的一份报告中估计，2019年全球半导体市场销售总额将达到4890亿美元，比2018年增长2.6％。
虽然与2017年和2018年的21.6％和13.4％相比，这个扩张速度大大放缓，但市场让在继续增长。
Gartner表示，2020年半导体销售额预计为5.28亿美元，比今年增长8％。
一位了解该行业的韩国财政部官员告诉亚洲时报：“专家预测，由于网络物理系统，物联网和人工智能等行业的需求，下半年DRAM市场将复苏。”
